1、 什么是納米材料?怎樣對納米材料進行分類?

    任何至少有一個維度的尺寸小于 100nm 或由小于 100nm 的基本單元組成 的材料稱作納米材料。它包括體積分數近似相等的兩部分:一是直徑為幾或幾十納米的粒子,二是粒子間的界面。納米材料通常按照維度進行分類。原子團簇、納米微粒等為0維納米材料。納米線為1維納米材料,納米薄膜為2維納米材料,納米塊體為3維納米材料,及由他們組成的納米復合材料。按照形態還可以分為粉體材料、晶體材料、薄膜材料。

2、 納米材料有哪些基本的效應?

    納米材料的基本效應有:

一、尺寸效應,納米微粒的尺寸相當或小于光波波長、傳導電子的德布羅意波長、超導態的相干長度或投射深度等特征尺 寸時,周期性的邊界條件將被破壞,聲、光、電、磁、熱力學等特征性即呈 現新的小尺寸效應。出現光吸收顯著增加并產生吸收峰的等離子共振頻移; 磁有序態轉為無序態;超導相轉變為正常相;聲子譜發生改變等。例如,納 米微粒的熔點遠低于塊狀金屬;納米強磁性顆粒尺寸為單疇臨界尺寸時,具 有很高的矯頑力;庫侖阻塞效應等。

二、量子效應,當能級間距δ大于熱能、 磁能、靜磁能、靜電能、光子能量或超導態的凝聚能時,必須考慮量子效應, 隨著金屬微粒尺寸的減小,金屬費米能級附近的電子能級由準連續變為離散 能級的現象 和半導體微粒存在不連續的最高被占據分子軌道和最低未被占 據分子軌道,能隙變寬的現象均稱為量子效應。例如,顆粒的磁化率、比熱 容與所含電子的奇、偶有關,相應會產生光譜線的頻移,介電常數變化等。

三、界面效應,納米材料由于表面原子數增多,晶界上的原子占有相當高的 比例,而表面原子配位數不足和高的表面自由能,使這些原子易與其它原子 相結合而穩定下來,從而具有很高的化學活性。引起表面電子自旋構象和電 子能譜的變化;納米微粒表面原子運輸和構型的變化。

四、體積效應,由于 納米粒子體積很小,包含原子數很少,許多現象不能用有無限個原子的塊狀 物質的性質加以說明,即稱體積效應。久保理論對此做了些解釋。

3、 納米材料的晶界有哪些不同于粗晶晶界的特點?

納米晶的晶界具有以下不同于粗晶晶界結構的特點:

1)晶界具有大量 未被原子占據的空間或過剩體積

2) 低的配位數和密度

3) 大的原子均方間距

4)存在三叉晶界。

此外,納米晶材料晶間原子的熱振動要大于粗晶的晶間原子 的熱振動,晶界還存在有空位團、微孔等缺陷,它們與旋錯、晶粒內的位錯、孿晶、層錯以及晶面等共同形成納米材料的缺陷。

4、 納米材料有哪些缺陷?總結納米材料中位錯的特點。

納米材料的缺陷有:

一、點缺陷,如空位,溶質原子和雜質原子等,這是一種零維缺陷。

二、線缺陷,如位錯,一種一維缺陷,位錯的線長度及位錯運動的平均自由程均小于晶粒的尺寸。

三、面缺陷,如孿晶、層錯等,這是一種二維缺陷。 納米晶粒內的位錯具有尺寸效應,當晶粒小于某一臨界尺寸時,位錯不穩定,趨向于離開晶粒, 而當粒徑大于該臨界尺寸時, 位錯便穩定地存在于晶粒內。

位錯與晶粒大小之間的關系為:

1)當晶粒尺寸在 0~100nm 之間, 溫度<0.5 m T時,位錯的行為決定了材料的力學性能。 隨著晶粒尺寸的減小,位錯的作用開始減小。

2)當晶粒尺寸在 30— 50nm 時可認為基本上沒有位錯行為。

3)當晶粒尺 寸小于 10nm 時產生新的位錯很困難。

4)當晶粒小于約 2nm 時,開動位錯源的 應力達到無位錯晶粒的理論切應力。

5、 總結納米材料的合成與制備方法。

6、 總結納米材料的力學性能特點。

一、彈性模量

納米晶的彈性模量要受晶粒大小的影響,晶粒越細,所受的影響越大, E 的下降越大。但是只有當晶粒小于20nm 時,規一化模量才開始下降,晶粒很小時(小于 5nm )時,彈性模量才大幅度下降。

二、強 度

由于 Hall-Petch 公式是建立在粗晶材料上的經驗公式,建立在位錯理論 基礎上的,而納米材料本身位錯的特點決定了其屈服強度隨晶粒尺寸 d 的變 化不服從 Hall-Petch 關系。納米材料的硬度和強度大于同成分的粗晶材料的 硬度和強度。

三、塑性

在拉應力作用下,與同成分的粗晶金屬相比,納米晶金屬的塑、韌性大幅下降;而在壓應力狀態下納米晶金屬能表現出很高的塑性和韌性。總之,在位錯機制不起作用的情況下,在納米晶金屬的變形過 程中,少有甚至沒有位錯行為。此時晶界的行為可能起主要作用,這包括晶 界的滑動、與旋錯有關的轉動,同時可能伴隨有由短程擴散引起的自愈合現象。此外,機械孿生也可能在納米材料變形過程中起到很大的作用。

四、納米材料的蠕變

納米材料的蠕變擴散速率并不明顯大于微米晶的蠕變速率,無論在低溫或中溫范圍內晶界擴散蠕變或 Coble 蠕變并不適用于納米材料。關于納米材料的蠕變機制、納米材料由于具有相當大的體積分數的晶界和極 高的晶界擴散系數,那么納米材料能否在低應力和較低的溫度下產生晶界擴 散蠕變等問題仍處于研究階段。另外,當材料的晶粒由微米降為納米級時, 由于擴散系數的增加和晶粒指數值的增加, 材料超塑可望在較低的溫度下(如室溫)或在較高的速率下產生,但關于納米材料是否就有超塑性尚無定論。復合納米材料,常用的有2-2維、0-3維和0-0型復合材料,研究表明, 納米復合材料既有高的強度,同時又具有高的韌性。通過納米復合材料,可突破現在工程材料的強度和韌性此消彼長的矛盾,創造高強度、高韌性統一的新材料,前景誘人。

7、 什么是單電子效應 ? 單電子效應有哪些主要的特點?產生單電子效應的原理是什么?在什么條件下可以觀察到單電子效應?

在低維納米固體結構中,通過改變電壓的方式能操縱電子一個一個地運動,這就是單電子效應;主要特點是由于電子具有量子屬性,所以它能以一定的概率隧穿通過勢壘,即發生量子隧穿現象。產生單電子效應的原理是當隧穿條件不滿足時靜電場封鎖了電子通道,隧穿過程不能發生,即庫侖阻塞效應的產生。要觀察到單電子現象,首先要保證隧道結的靜電勢遠大于環境溫度引起的漲落能,即 T k C e B >>) 2,否則單電子現象將被熱起伏所淹沒。 其次,隧道結的電阻 R 必須遠大于電阻量子 2e R K =≈ 25.8K Ω。從而使兩次隧穿事件不重疊發生,從而保證電子一個一個地隧穿。

8、 什么是巨磁阻效應?哪些材料結構具有巨磁阻效應?討論產生巨磁阻效應 的原理。

由磁場引起材料電阻變化的現象稱為磁電阻或磁阻效應 。)0() 0() () 0(ρρρ-=?=H R R MR 普通材料的磁阻效應 (MR)很小,我們把發現一些材料的磁阻效應超過 50%的MR ,且為各向同性,負效應,這種現象被稱為巨磁電阻(Giant Magntoresistance , GMR)效應。 已發現具有 GMR 效應的材料主要有多層膜、 自旋閥、顆粒膜、非連續多層膜、氧化物超巨磁電阻薄膜等五大類。

產生巨磁阻效應的原理分別討論如下:

一、多層膜的 GMR 效應。

根據 Mott 的二流體模型, 傳導電子分成自旋向上與自旋向 下的兩組,只考慮磁層產生的影響。兩種自旋狀態的傳導電子都 在穿過磁矩取向與其自旋方向相 同的一個磁層后,遇到另一個磁矩取向與其自旋方向相反的磁層,并在那里受到強烈的散射作用,在宏觀上,多層膜處于高電阻狀態。當外加磁場足夠大,原本反平行排列的各層磁矩都沿外場方向排列的情況。可以看出,在傳導電子中,自旋方向與磁矩取向相同的那一半電子可以很容易地穿過許多磁層而只受到很弱的散射作用,而另一半自旋方 向與磁矩取向相反的電子則在每一磁層都受到強烈的散射作用。在宏觀上,多層膜處于低電阻狀態,這樣就產生了 GMR 現象。

二、 自旋閥的GMR效應。 

為了使 GMR 材料的sH 降低以提高磁場傳感靈敏度, 除了選用優質軟磁鐵為鐵磁層和使非磁性導體層加厚,磁性層間的磁耦合變弱,在很弱的磁場下就可以實現僅使自由層的磁場發生翻轉。

三、納米顆粒膜的GMR效應。納米顆粒膜是指納米量級的鐵磁性相與非鐵磁性導體相非均勻析出構成的合金膜。在鐵磁顆粒的尺寸及其間距小于電子平均自由程的條件下,顆粒膜就有可能呈現 GMR 效應。

四、隧道型 TMR 效應。積層為下述的三明治結構:鐵磁性 A/非鐵磁性絕緣層 /鐵磁 性 B 。 由于兩鐵磁性層自發磁化的作用, 右旋自旋和左旋自旋電子穿過隧道的幾率不同, 由此產生巨磁電阻效應。

9、 總結納米二氧化鈦的光催化特點。

納米二氧化鈦的光催化原理是利用光來激發 TiO 2等化合物半導體,利用它們產生的電子和空穴來參加氧化 -還原反應。大多數情況下,光催化反應都離不開空氣和水。TiO 2的光催化性能不僅取決于光生載流子電極電位的高低, 而且還取決于光生載流子的輸送,故不同晶體結構對 TiO 2光催化性能會產生影響。晶粒對 TiO 2光催化性能也有影響:隨著粒徑的減小, TiO 2的比表面積迅速增大,高的比表面積使 TiO 2具有很強的吸附能力,因而提高了光催化性能。為了提高光催化反應的量子產率、克服需要紫外線激發光這兩大障礙,可采用添加催化劑的方法和對 TiO 2進行表面修飾或復合。 另外此項技術已在人們日常生活的許多領域得到應用,前景廣闊。但盡管如此,光量子產率低和 太陽能利用率低仍是目前尚未解決的兩大關鍵科學技術難題,制約其的應用。

10、總結碳納米管的結構和形態對其性能的影響。